报告题目：宽禁带与超宽禁带半导体材料研究进展
报 告 人：王东（西安电子科技大学教授，博士生导师）
报告时间：2024年10月16日（星期三）下午3：00
报告地点：图书馆综合楼二楼201会议室
主办单位：科技处，研究生部，材料科学与工程学院
王东：西安电子科技大学教授，博士生导师，西安电子科技大学芜湖研究院副院长。2009年博士毕业于西安交通大学，师从中国科学院院士侯洵教授。同年就职于西安电子科技大学微电子学院，隶属于宽带隙半导体技术国家重点学科实验室，师从中国科学院院士郝跃教授。主要研究方向为宽禁带半导体功率器件应用、超宽禁带半导体材料制备与产业化，以及新型信息材料与器件。先后承担国家核高基重大专项、973、863、教育部博士点基金、安徽省科技重点专项、陕西省重大基础研究计划，参与国家重点研发计划、国家自然基金面上项目、青年项目、陕西省重点产业链等科研项目，研究经费超过1000万元；在Advance Opitcal Materials、Nano Research、Carbon、APL等国际知名期刊发表论文50余篇，其中SCI一区20余篇，H-index因子达到13，并担任Nano Research、SST、APL等期刊审稿人。申请获批国家发明专利30余项，产业转化2项。入选安徽省第八批特支计划A类创新人才，兼任安徽省半导体行业协会副理事长、芜湖市半导体行业协会会长、芜湖市弋江区政协常委等职。
届时欢迎广大师生积极参会、交流！